RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
3035
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link