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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2852
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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