RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
61
Intorno 57% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
61
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2025
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link