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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
13.2
25.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
19.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
4167
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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