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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3557
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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