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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2462
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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