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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
1900
Intorno 5.58% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
45
Velocità di lettura, GB/s
13.2
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
1900
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2387
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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