RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno 56% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
59
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2181
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link