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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
74
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
1616
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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