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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
26
Velocità di lettura, GB/s
17.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
2806
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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