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G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB vs Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.2
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
11.2
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
5.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2082
1432
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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