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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
36
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2405
2504
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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