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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
14.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2513
2234
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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