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G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
14.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2458
2103
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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