RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
35
Velocità di lettura, GB/s
16.8
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
1998
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link