RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
67
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
67
Velocità di lettura, GB/s
16.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2042
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link