RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
35
Velocità di lettura, GB/s
16.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2068
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link