RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
32
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
32
Velocità di lettura, GB/s
16.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2322
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link