RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
50
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
50
Velocità di lettura, GB/s
16.8
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2064
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link