RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
62
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
62
Velocità di lettura, GB/s
16.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
1586
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link