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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
11.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
16.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
3221
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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