RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
37
Velocità di lettura, GB/s
16.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
2389
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link