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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
11.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
46
Velocità di lettura, GB/s
16.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
2660
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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