RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
11.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
16.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
2989
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link