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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
25
Velocità di lettura, GB/s
16.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2704
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24EA8GS 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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