RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
38
Velocità di lettura, GB/s
16.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2451
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link