RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
57
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
57
Velocità di lettura, GB/s
16.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2377
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link