RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
18.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2895
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link