RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
42
Velocità di lettura, GB/s
18.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2352
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link