RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
18.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2762
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link