RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
18.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
3244
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link