RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
85
Intorno 75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
85
Velocità di lettura, GB/s
17.4
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.2
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3130
1118
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link