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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2400U1S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
24.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
2862
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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