RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
24.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
2483
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link