RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
24.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
3192
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link