RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
30
Velocità di lettura, GB/s
24.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
3637
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link