RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
24.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
3594
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link