RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
77
Intorno 71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
77
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
13.5
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3679
1549
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
UMAX Technology 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link