RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Confronto
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
17.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
15.7
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3867
2728
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link