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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3026
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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