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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3683
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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