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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
49
Intorno -123% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
22
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3082
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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