RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2938
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link