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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2984
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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