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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3394
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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