RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2771
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link