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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3389
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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