RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3635
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link