RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3085
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link