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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
49
Intorno -145% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
20
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3217
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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